我国研发新储存技术：读写速度比U盘快万倍  据了解，现在的存储技术有两种：一种是以内存为代表的易失性存储，速度很快，但断电后数据就没有，无法保存;另一种是以U盘为代表的非易失性存储，断电后依然能够保存数据，但缺点就是读写速度慢。

日前复旦大学微电子学院的团队则研发出了第三种存储技术，既能保证超高的读写速度，又能保证断电后数据不会丢失。据团队人员介绍，基于这项技术制作的存储元器件，其写入速度将会比普通U盘快上 10000 倍。

而且这项技术还能够按需对数据的存储时长进行调整。它的原理是，这种技术采用了多重二维半导体材料，只要通过对材料比例的控制，便可以控制写入速度与断电数据保留时长的比例。

最重要的是，二维材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体，这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力，是降低存储器功耗和提高集成度的崭新途径。基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，为未来的新型计算机奠定基础。