在本周早些时候与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上，美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心，该公司还概述了扩大产能的计划，并迅速转向更先进的工艺技术。

　　美光表示，“我们相信，受人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等广泛的长期趋势驱动，记忆和存储的长期需求前景引人注目”美光公司首席执行官桑杰·梅赫特拉(Sanjay Mehrotra)说。“美光公司已准备好利用这些趋势，创新产品，快速响应的供应链，与全球客户建立良好关系。”

　　由于供应超过需求，近几个季度DRAM价格大幅下跌。为了降低成本并为内存的新应用的出现做好准备，DRAM制造商正在积极地转向更新的工艺技术。与此同时，虽然承认他们需要平衡DRAM的供需，但他们实际上已经制定了积极的产能扩张计划，因为他们需要更多的洁净室用于即将到来的制造技术。

　　美光公司在制造工艺方面拥有积极的路线图，现在又增加了4个10纳米级节点(总共6个10纳米级技术)，该公司正在研究最终向极紫外光刻(EUVL)的过渡。美光还在扩大其生产能力，以便为下一代应用生产下一代存储器，即为消费级准备32 GB内存模块，为服务器准备64 GB DIMM。

　　本月早些时候，我们报道了美光的16 Gb DDR4内存芯片，该芯片采用该公司的第二代10纳米级制造工艺(也称为1Y nm)生产。这些DRAM芯片已经在用于威刚和英睿达的32 GB DDR4内存条中，这些产品也将不久后上市。

　　▲美光旗下英睿达的32GB单条内存

　　早在4月份，为了应对DRAM和新工艺技术需求的增加，美光存储台湾(前雷克斯光电半导体)新洁净室破土动工。

　　美光储存(台湾)早已在使用美光的第一代10纳米级制造技术(也称为1X nm)制造DRAM产品，并将在不久的将来直接进入第3代10纳米级工艺(又名1Z nm) 。与此同时，去年美光在台中附近开辟了一个新的测试和包装设施，创造了世界上唯一的垂直集成DRAM生产设施之一。

　　此外，美光公司宣布计划在日本广岛附近的公厂内投入20亿美元用于新的洁净室。据报道，新的产能将用于制造美光13纳米工艺技术的DRAM。

　　总的来说，美光将拥有多个10纳米级节点。除了目前使用的第一代和第二代10纳米级工艺技术外，美光还计划推出至少四种10纳米级制造工艺：1Z，1α，1β和1γ。

　　目前，美光公司正在生产第二代10纳米级制造工艺(即1Y nm)，包括该公司的12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存储器件。

　　该公司的下一代1Z nm目前已获得客户的认可(即，他们正在测试使用该工艺生产的各种芯片)，预计将在近期宣布，该技术将用于生产16 Gb LPDDR5存储器件以及DDR5存储器件。

　　继1Z nm节点之后，美光计划开始使用其1αnm制造技术以获得更高的产量，这意味着它正处于后期开发阶段。之后是1βnm制造工艺，该工艺也是处于早期开发阶段。

　　美光没有说明在1γnm工艺之后是否会直接进入EUV。该公司正在评估ASML的Twinscan NXE步进扫描功能以及使用极紫外光刻技术生产所需的其他设备，并正在评估这些工具何时可用于制造DRAM。